目前该工艺的大招首批主力产品已经确定，

Intel 18A-P并非现有18A工艺的落地率飙小修小补，主频相较于传统FinFET架构直接提升了30%。英特艺低压频其实测数据表现惊人，大招而是落地率飙深度整合了RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电技术。

而PowerVia背面供电技术则是英特艺低压频将电源线从芯片正面移至背面，预计将于明年正式投放市场展开正面竞争。大招RibbonFET是落地率飙一种全环绕栅极架构，在维持相同电容负载的英特艺低压频前提下，能拥有更多的大招温度余裕。

此外英特尔还在芯片金属层中额外增加了两层顶部粗金属层，落地率飙彻底消除了信号线与电源线混杂带来的英特艺低压频压降损失。换取了额外2%至3%的频率增益。让元件的运算速度提升了约10%。该工艺在0.5V的超低电压环境下，

根据英特尔与研究机构Futurum Research公布的实测数据，还是在追求极限性能的服务器端，Intel 18A-P还引入了名为Power Boost的全新双接触架构设计，

这两项技术的合力，尤其在低电压环境下实现了30%的频率飞跃。这意味着处理器在高负载持续运送时，使整体堆叠热阻成功降低了20%至40%。分别是针对服务器市场的Diamond Rapids以及针对消费级市场的Nova Lake处理器，该设计通过超低电阻接点大幅拉高了驱动电流，

简单来说，

除了底层架构的变革，这一改动缓解了布线拥挤并降低了互连延迟，使得芯片无论是在极致节能的移动端，

8月27日消息，

在散热方面，