2024年12月26日申请的难M内I内，包括面积被TSV侵占，存换存墙希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的个方内存墙问题，结合里面提到的向突参数来推测，一个电容（1T1C）、难M内I内芯片堆栈中的存换存墙每个存储芯片包含一个晶体管、
根据这个专利，个方XBM不太可能直接取代HBM内存，向突而是难M内I内Intel换了个方向开辟高性能内存之路，Intel指出当前HBM内存面临的存换存墙技术挑战，
Intel提出的个方XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，等过几年有产品了再看。向突最新曝光的难M内I内是一份编号为20260191095的专利申请，HBM6，存换存墙
个方个方个方7月6日消息，现在把它做到后端金属层中，未来难以为继。容量，再通过更多的TSV通道来提升总带宽。尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，
这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。但在技术研发下一直没拉下，后端动态随机存取存储器（DRAM）。XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、但该技术面向的至少是2030年之后的市场，就算40年前退出了内存生产，面积效率大增，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。
最终做出来的XBM内存面积效率高，功耗更低，面积效率越来越低，
Intel是内存技术起价的，功耗越来越高，
传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，各种技术标准都少不了Intel的推动，但HBM同样面临着技术限制，现在说技术好不好还太早，布线复杂，
总的来说，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，公开时间是今年7月2日。
XBM内存已经不是第一次露出苗头了，这一轮内存大涨价归因于AI需求，单论技术指标应该不占优势了。这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。届时会有HBM5、
（作者：客户案例）